CMD253C3都是款高IP3雙發展混頻器,主要包括無鉛從表面貼裝封裝類型,可以用于6至14 GHz相互間的上互轉使用。因整合了balun成分,CMD253C3對微波射頻和中頻接口都存在很高的隔絕度,以及能能在低至+15dBm的低驅動包電平下上班。CMD253C3能否很易地配資為帶外表混頻器和工作功率合理安排器的圖象限制混頻器或單側帶配制器。
顯著特點
低變為消耗
高IP3
高底部隔離度
寬中頻段寬
無鉛RoHs兼容3x3 mm SMT二極管封裝
紅外光元元器
速度LO / RF(GHz):6-14
概率IF(GHz):DC - 5
收獲(dB):-6
LO-RF隔絕(dB):43
LO-IF丟開(dB):39
搜索IP3(dBm):23
包:3x3 mm QFN
CMD253C3都是款高IP3雙發展混頻器,主要包括無鉛從表面貼裝封裝類型,可以用于6至14 GHz相互間的上互轉使用。因整合了balun成分,CMD253C3對微波射頻和中頻接口都存在很高的隔絕度,以及能能在低至+15dBm的低驅動包電平下上班。CMD253C3能否很易地配資為帶外表混頻器和工作功率合理安排器的圖象限制混頻器或單側帶配制器。
顯著特點
低變為消耗
高IP3
高底部隔離度
寬中頻段寬
無鉛RoHs兼容3x3 mm SMT二極管封裝