AM010WX-BI-R不是種分立砷化鎵pHEMT,其柵極總長寬比為1.0分米。它是在一款瓷質雙包工作將高達12千兆赫。BI系通過特定開發的瓷磚封裝類型,通過鑲入式施工方試,中帶變形(BI-G)或直(BI)高壓導線。芯片封裝下端的法蘭部一同用在整流等電位連接、微波射頻等電位連接和熱檢修通道。此部件具有RoHS。
顯著特點
可以達到12GHz的低頻操作方法
增益控制=16 dB,P1dB=28.5dBm,Eff=53%@4GHz
從表面貼裝
更好水冷的框架
技術應用
無線網本市環路
帶動調小器
蜂窩無線wifi電
中繼器
C頻譜VSAT
聲納
簡體中文
紅外光元配件