AM032MH4-BI-R是GaAs HIFET的BI全系列的一步分。HiFET一種區域一致的申請設施硬件配置,使用在高電壓、大瓦數和寬帶網使用。該機件的總設施外層為12.8厘米。AM032MH4-BI-R專為高公率紅外光用途而規劃,本職工作平率自由高達6GHz。BI系列作品使用專項 設計的概念的衛浴陶瓷封裝形式,彎度或挺立的引線和蝶閥法蘭片使用加入式的安裝形式。打包上端的蝶閥法蘭片此外身為直流變壓器的接地極、頻射的接地極和熱通路。這般HiFET合適RoHS基準。
表現
28伏漏極偏壓
光纖寬帶區域配對:DC–2.4GHz
到達6GHz的中頻使用
高收獲:G=19dB@2GHz
高輸出功率:P1dB=35dBm@2.0GHz
高規則化:IP3=50dBm@2.0GHz
合理散熱器的淘瓷內包裝
app
光纖寬帶用
高壓變壓器20至28V
無限原生環交通網絡
PC移動基站
WLAN、中繼器和超內網
C波長VSAT
南航電子廠通信設備
中文名
微波加熱元集成電路芯片