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AM025WN-00-R有的是種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總長度為2.5毫米左右（幾個1.25公分FET串連）。它一個裸模，可方法高達獨角獸15千兆赫。它需要能提供40.5 dBm的類型呈現飽和狀態工作效率。此部件完全符合RoHS。

有特點

高達獨角獸15GHz的中頻作業

在2GHz時增益控制=21dB

PAE=53%

P5dB=40.5 dBm

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蜂窩手機無線通信基站

移動廣域網、中繼器

C頻譜VSAT

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