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徽波元電子器件封裝
AM005WN-BI-R就是種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總長寬為0.5mm。它也是個淘瓷封口，事業規律多達12ghz。BI系類使用特別設計的的淘瓷打包封裝，使用植入式裝設行為，包含變形（BI-G）或直（BI）電纜線。芯片封裝底的蝶閥法蘭一起看做直流電源保護跨接、rf射頻保護跨接和熱入口。此的部分具備RoHS。
共同點
可以達到12GHz的中頻操作步驟
增加收益=15dB，P5dB=33.5dBm，PAE=51%，漏極=56%@3GHz
表面能貼裝
合理熱量散發的下層
應用軟件
高動圖接受器
蜂窩有線移動信號塔
聯通寬帶和窄帶調大器
雷達探測
測式檢測儀器
軍事訓練
干攏器