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徽波元電子元件封裝
AM012WN-BI-R就是種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總總寬為1.25厘米。它是在的瓷質雙包使用超過10千兆赫。BI國產按照比較特殊來設計的瓷磚打包封裝，按照融入式怎么安裝策略，擁有彎度（BI-G）或直（BI）電線。封口低部的卡箍同時看做直流電一定接地裝置、rf射頻一定接地裝置和熱管道。此一些適合RoHS。
特色
超過10GHz的低頻操作步驟
增益控制=17dB，P5dB=37dBm，PAE=51%，漏極=55%@2.8ghz
面上貼裝
能夠熱管散熱的最底層
技術應用
高的動態考慮器
蜂窩無線網移動通信基站
光纖寬帶和窄帶擴大器
統計
自測器材
軍事化
侵擾器