AM025WN-BI-R是一個種分立的GaN/SiC HEMT,其柵極總長度為2.5mm。它是一個個瓷磚封裝,的工作頻次獨角獸高達8千兆赫。BI一系列按照特定設定的工業陶瓷封裝形式,按照植入式裝置手段,中含彎曲成(BI-G)或直(BI)電線。裝封邊側的法蘭片也重復使用整流等電位連接、微波射頻等電位連接和熱的通道。此方面貼合RoHS。
特點
高至8GHz的中頻操作使用
增益控制=16 dB,P5dB=40 dBm,PAE=52%,漏極=56%@3 GHz
漆層貼裝
高效風扇散熱的下層社會
應該用
高動態展示傳輸器
蜂窩無線網基站天線
寬帶網絡和窄帶調大器
統計
檢驗機器設備
軍事訓練
要素器
2英文
紅外光元電子元器件封裝