Cree工司的CMPA2560025F有的是種源于氮化鎵(GaN)高光電轉化率晶狀體管(HEMT)的片式微波加熱模塊化集成運放(MMIC)。與硅或砷化鎵相對來說,GaN含有極高的穿透電流電壓、極高的飽和光電漂移高速度和極高的熱導率。與Si和GaAs晶狀體管相對來說,GaN-hemt還含有極高的工率相對密度和更寬的速率。這樣MMIC主要包括的多級發生反應匹配好變成器,使十分寬的速率能否在的小的占地面的積適用面積的螺扣二極管封裝,含有銅鎢散熱器。
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紅外光元電子元件