EC2612-99F基于0.15μm柵極偽晶型高電子遷移率晶體管(0.15μm pHEMT)技術。
澆口總寬為120μm,0.15納米。T形鉿合金平板閘門極具低電容和精湛的能信性。
該器材屏幕上顯示出比較高的跨導,于是以至于比較高的頻繁 和低低頻噪音耐磨性。
它以電子器件形勢提高,帶異采用孔接觸的源極,僅需被限柵線和漏極線。
微波通信元電子器件
EC2612-99F 晶體管
rf射頻上行帶寬(GHz): 直流變壓器-40增加收益(dB):9.5燥聲指數(dB):1.5備貨貨期:3-4周EC2612-99F基于0.15μm柵極偽晶型高電子遷移率晶體管(0.15μm pHEMT)技術。
澆口總寬為120μm,0.15納米。T形鉿合金平板閘門極具低電容和精湛的能信性。
該器材屏幕上顯示出比較高的跨導,于是以至于比較高的頻繁 和低低頻噪音耐磨性。
它以電子器件形勢提高,帶異采用孔接觸的源極,僅需被限柵線和漏極線。