CHZ015AaQEG是輸入匹配的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。
它為L中波段的一些RF瓦數利用作為了聯通寬帶滿足計劃書。該電路設計異常適宜單脈沖統計技術應用。
CHZ015AaQEG是在0.5μm柵長的GaN HEMT加工工藝上指出的。它因為準MMIC工藝。
它以滿足RoHS的SMD打包封裝給出。
徽波元電子器件
CHZ015AaQEG 內部匹配的GAN功率晶體管
微波射頻上行帶寬(GHz): 1.2-1.4小走勢增益控制(dB):16功效(W):15相應增益控制(dB): > 14P-1dB輸出的(dBm):-PAE(%): > 55定貨交貨:3-4周CHZ015AaQEG是輸入匹配的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。
它為L中波段的一些RF瓦數利用作為了聯通寬帶滿足計劃書。該電路設計異常適宜單脈沖統計技術應用。
CHZ015AaQEG是在0.5μm柵長的GaN HEMT加工工藝上指出的。它因為準MMIC工藝。
它以滿足RoHS的SMD打包封裝給出。