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CHZ180AaSEB 內部匹配的GAN功率晶體管

必要性能

CHZ180AaSEB 內部匹配的GAN功率晶體管

微波射頻速率（GHz）： 1.2-1.4小網絡信號增益控制（dB）：20工作電壓（W）：200相關增加收益（dB）： > 14P-1dB的輸出（dBm）：-PAE（％）： 52購貨貨期：3-4周

設備淘寶手機端解釋

CHZ180AaSEB是輸入匹配和輸出預匹配的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。它為L波段的各種RF功率應用提供了寬帶解決方案。

非常的符合單脈沖雷達探測用途。

CHZ180AaSEB是在0.5μm柵長的GaN HEMT工藝設計上做出的。它依據準MMIC的技術。

它所采用抽真空法蘭片衛浴陶瓷合金金屬主機電源二極管封裝，可提拱低生存和低熱導率。

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