CHK9013-99F是85W氮化鎵高電子遷移率晶體管。
該成品為統計和中國聯通等各類RF主機電源應運出具通用版和帶寬解決處理規劃。
該電源線路是在SiC襯底上采用了0.25μm柵長的GaN HEMT技巧造成的。
它以裸電子器件結構類型說出,以及需異常適應電源電路。
紅外光元電子器件封裝
CHK9013-99F 氮化鎵功率晶體管
Glin(dB)@頻繁(GHz): 18 @ 6作業平率(GHz): 最常6個飽和狀態電率(W): 88PAE(%)@聲音頻率(GHz): 65 @ 6購貨交貨:3-4周CHK9013-99F是85W氮化鎵高電子遷移率晶體管。
該成品為統計和中國聯通等各類RF主機電源應運出具通用版和帶寬解決處理規劃。
該電源線路是在SiC襯底上采用了0.25μm柵長的GaN HEMT技巧造成的。
它以裸電子器件結構類型說出,以及需異常適應電源電路。