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CHK8101a99F 氮化鎵功率晶體管

至關重要性能

CHK8101a99F 氮化鎵功率晶體管

Glin（dB）@次數（GHz）： 14 @ 6任務的頻率（GHz）：較多6個飽和額定功率（W）： 20PAE（％）@頻繁（GHz）： 60 @ 6備貨貨期：3-4周

類產品情況介紹英文

CHK8101a99F是20W氮化鎵高電子遷移率晶體管。

該物料為汽車雷達和就是聯通等不同的RF外接電源使用提供了通用的和帶寬防止方法。

它是系統設計SiC襯底上的0.5μm柵長GaN HEMT技術設備規劃設計的，并越來越合適RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006控制指令的規定標準。

它以裸單片機芯片主要形式提供，和必須要外鏈相配電源電路。

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