所述CHA5266-FAB是在無引線表面上上的四級片式砷化鎵中電率變小器按照密封圈五金陶瓷制品6x6mm2包。
它制定主要用于從軍事到服務業通信設備控制系統的常見適用。
該線路用到pHEMT加工研制,柵極厚度為0.25μm,進行基鋼板的通孔,大氣橋和微電子束柵神行者刻枝術研制。
它以合乎RoHS的SMD打包封裝能提供。
微波通信元配件
CHA5266-FAB 放大器– MPA
rf射頻帶寬起步(GHZ):10-16增益控制(dB):24IP3(dBm):35.5P-1dB傷害(dBm):26輸出精度功效(dBm):27.5備貨貨期:3-4周所述CHA5266-FAB是在無引線表面上上的四級片式砷化鎵中電率變小器按照密封圈五金陶瓷制品6x6mm2包。
它制定主要用于從軍事到服務業通信設備控制系統的常見適用。
該線路用到pHEMT加工研制,柵極厚度為0.25μm,進行基鋼板的通孔,大氣橋和微電子束柵神行者刻枝術研制。
它以合乎RoHS的SMD打包封裝能提供。