CHA5115-99F是專為X波段應用而設計的單片式兩級GaAs中等功率放大器。
MPA在3dB增益控制降低時常常提拱29dBm的傳輸瓦數,與39%的瓦數扣除的效率相應。
該電子元器件主要采用0.25μm Power pHEMT技術生產制造,包擴依據基鋼板的通孔和氣流橋。
它以處理芯片內容提拱。
微波加熱元電子零件
CHA5115-99F 放大器– MPA
rf射頻上行帶寬(GHZ): 8-12增益值(dB):25IP3(dBm):-P-1dB輸入(dBm):28輸入輸出電功率(dBm):29定貨交貨時間:3-4周CHA5115-99F是專為X波段應用而設計的單片式兩級GaAs中等功率放大器。
MPA在3dB增益控制降低時常常提拱29dBm的傳輸瓦數,與39%的瓦數扣除的效率相應。
該電子元器件主要采用0.25μm Power pHEMT技術生產制造,包擴依據基鋼板的通孔和氣流橋。
它以處理芯片內容提拱。