CHA2190-99F是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該電路系統使用規格的pHEMT加工制作工藝 創造:柵極粗度0.25μm,依據基鋼板的通孔,空氣的橋和電子設備束柵極夜刻。
它以IC芯片行式供應。
微波加熱元功率器件
CHA2190-99F 放大器– LNA
rf射頻速率(GHZ):20 - 30增益控制(dB):15增益控制同軸度(dB):0.5躁音比率(dB):2.2P-1dB傷害(dBm):11訂購交貨期:3-4周CHA2190-99F是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該電路系統使用規格的pHEMT加工制作工藝 創造:柵極粗度0.25μm,依據基鋼板的通孔,空氣的橋和電子設備束柵極夜刻。
它以IC芯片行式供應。