CHA7114-99F是專為X波段應用而設計的單片式兩級GaAs高功率放大器。
該設備的使用UMMS 0.25μm工率pHEMT加工過程開發,涵蓋順利通過的基板的通孔和氣流橋。
為創新拆裝時候:
集成電路芯片的后面同一時間頻射和直流變壓器跨接
焊盤和背部均渡金,以與共晶存儲芯片黏附方法步驟和熱壓鍵合加工兼容。
微波加熱元元器
CHA7114-99F 變小器– HPA微波射頻下行帶寬(GHZ): 8.5-11.5增益控制(dB): 20IP3(dBm):-P-1dB傳輸(dBm):-讀取額定功率(dBm):39.8定購貨期:3-4周
CHA7114-99F是專為X波段應用而設計的單片式兩級GaAs高功率放大器。
該設備的使用UMMS 0.25μm工率pHEMT加工過程開發,涵蓋順利通過的基板的通孔和氣流橋。
為創新拆裝時候:
集成電路芯片的后面同一時間頻射和直流變壓器跨接
焊盤和背部均渡金,以與共晶存儲芯片黏附方法步驟和熱壓鍵合加工兼容。