AM030WX-BI-R是一個種分立砷化鎵pHEMT,其總柵極屏幕寬度匹配為3.0毫米左右。它是一種個淘瓷雙包,總共可進行10次千兆赫BI打包封裝形式選取特異開發的淘瓷打包封裝形式,選取融入到式配置方試,有帶彎曲成(BI-G)或直(BI)引線。芯片封裝底層的法蘭片同時應用于直流電源接地保護保護、頻射接地保護保護和熱檢修通道。此個部分非常符合RoHS。
共同點
將高達10GHz的低頻操控
收獲=14dB,P1dB=33dBm,Eff=46%@4GHz
的表面貼裝
有效性散熱的表層
APP
有線本地人環路
驅動程序放縮器
蜂窩手機無線電
中繼器
C光波VSAT
汽車雷達
常常
微波通信元集成電路芯片